三星超台积电率先量产3nm芯片
就在昨天霍尔元件 等芯片晶圆代工行业巨头，三星电子传来消息，三星将在下周全球率先量产3nm芯片
韩联社6月22日报道称，消息人士透露，三星将在下周对外公布，率先量产环绕闸极技术(GAA，Gate-all-around)架构的3nm制程。3nm芯片确定量产后，三星电子将在先进芯片制造技术方面超越竞争对手台积电。
实际上，6月21日韩国媒体BusinessKorea就曾报道称，由于良率远低于目标，三星3纳米芯片量产将再延后。但22日上午，三星否认了这一传言。
5月20日，美国总统拜登访韩，三星电子展示GAA 3nm制程技术
据悉，GAA工艺与现有的FinFET工艺相比，可减少芯片面积和消耗的电力，更加准确地控制电流。目前FinFET工艺仅能接触到晶体管的三面，GAA工艺对半导体晶体管结构进行改进，使栅极可接触到晶体管的四面。
此外，与5纳米工艺相比，三星3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时芯片面积减少了35%。
韩美两国领导人签署的3纳米半导体晶圆原型，图源：韩联社
此前TrendForce的研究数据显示，三星电子2022年第一季度的代工销售额为53.28亿美元，较去年第四季度下降3.9%，也是全球前十大代工厂中唯一一家在第一季度销售额落后的厂商。
业界相关人士称，三星量产基于GAA工艺的3纳米芯片后，若能保持稳定的良品率，晶圆代工市场的版图或将重新改写。
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