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三星超台积电率先量产3nm芯片

返回列表 来源:霍尔元件 浏览: 发布日期:2022-06-23 16:41:54【
就在昨天霍尔元件 等芯片晶圆代工行业巨头,三星电子传来消息,三星将在下周全球率先量产3nm芯片
 
韩联社6月22日报道称,消息人士透露,三星将在下周对外公布,率先量产环绕闸极技术(GAA,Gate-all-around)架构的3nm制程。3nm芯片确定量产后,三星电子将在先进芯片制造技术方面超越竞争对手台积电。
 
实际上,6月21日韩国媒体BusinessKorea就曾报道称,由于良率远低于目标,三星3纳米芯片量产将再延后。但22日上午,三星否认了这一传言。
 
5月20日,美国总统拜登访韩,三星电子展示GAA 3nm制程技术
 
 
据悉,GAA工艺与现有的FinFET工艺相比,可减少芯片面积和消耗的电力,更加准确地控制电流。目前FinFET工艺仅能接触到晶体管的三面,GAA工艺对半导体晶体管结构进行改进,使栅极可接触到晶体管的四面。
 
此外,与5纳米工艺相比,三星3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%,同时芯片面积减少了35%。
 
韩美两国领导人签署的3纳米半导体晶圆原型,图源:韩联社
 
此前TrendForce的研究数据显示,三星电子2022年第一季度的代工销售额为53.28亿美元,较去年第四季度下降3.9%,也是全球前十大代工厂中唯一一家在第一季度销售额落后的厂商。
 
业界相关人士称,三星量产基于GAA工艺的3纳米芯片后,若能保持稳定的良品率,晶圆代工市场的版图或将重新改写。
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