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CMOS工艺及Bipolar工艺的比较

返回列表 来源:未知 浏览: 发布日期:2021-10-22 09:16:53【

CMOS工艺:霍尔开关器件内部集成了上百个甚至上千个场效应管。

Bipolar工艺:霍尔开关器件内部集成了上百个甚至上千个三极管。

CMOS工艺优点:启动电压低,功耗低,一致性好,温度范围大。

CMOS工艺缺点:抗干扰能力弱,抗静电能力弱,需做特殊的静电保护。

Bipolar工艺优点:可靠性高,抗干扰能力强,抗静电能力强。

Bipolar工艺缺点:启动电压高,功耗高,一致性较差(需要做特殊筛选),温度范围较窄(需在电路内部做温度补偿,然后经过特殊筛选才能扩大温度范围)霍尔传感器IC按工艺可分为CMOS工艺及Bipolar工艺。