制作霍尔元件的小知识，看过来
为了提高霍尔元件的稳定性和可靠性，在制备过程中，需要对其进行钝化。传统的钝化工艺，一般采用PECVD方法生长S12或Si3N4来进行钝化。在钝化过程中，等离子体会对材料表面产生损伤，从而导致损伤部位产生缺陷，缺陷会导致电子传输的不均匀，从而引起不平衡电压增大。另一方面，这些缺陷会随着温度及电场等外部条件的变化而变化，严重影响霍尔元件的稳定性和可靠性下降，不利于霍尔元件的长期使用。
对于半导体突变异质结，由于导带底能量突变量的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电子的作用而言，该“尖峰”也就是电子的势皇，“凹口”也就是电子的势阱，如果“凹口”的势阱足够大，则其中的电子只能在势阱中沿着平面的各个方向运动，即为二维运动的电子，形成二维电子气。
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