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霍尔元件是应用霍尔效应的半导体

返回列表 来源:未知 浏览: 发布日期:2019-12-13 13:32:07【
霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等.
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。
 
霍尔元件件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
 
霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm 级),采用了各种补偿和保护措施,霍尔元件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。
 
霍尔电位差 UH 的基本关系为
 
UH=RHIB/d (18)
 
RH=1/nq(金属) (19)
 
式中 RH--霍尔系数:
 
n--单位体积内载流子(自由电子和空穴)的个数
 
q--电子电量;
 
I--通过的电流;
霍尔元件
霍尔元件
B--垂直于I的磁感应强度;
 
d--导体的厚度。
 
对于半导体和铁磁金属,霍尔系数表达式与式(19)不同,此处从略。
 
由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
 
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。