CMOS工艺及Bipolar工艺的比较

发表时间：2021-10-22 09:16:53

CMOS工艺：霍尔开关器件内部集成了上百个甚至上千个场效应管。

Bipolar工艺：霍尔开关器件内部集成了上百个甚至上千个三极管。

CMOS工艺优点：启动电压低，功耗低，一致性好，温度范围大。

CMOS工艺缺点：抗干扰能力弱，抗静电能力弱，需做特殊的静电保护。

Bipolar工艺优点：可靠性高，抗干扰能力强，抗静电能力强。

Bipolar工艺缺点：启动电压高，功耗高，一致性较差（需要做特殊筛选），温度范围较窄（需在电路内部做温度补偿，然后经过特殊筛选才能扩大温度范围）霍尔传感器IC按工艺可分为CMOS工艺及Bipolar工艺。